中关村在线消息:近日,兆易创新在此次非公开发行A股股票申请文件的反馈意见的回复中,透露了其具体规划,按计划兆易创新DRAM芯片2021年完成客户验证,最晚将于2025年量产。

兆易创新首款DRAM芯片最晚2025年量产

兆易创新表示,公司拟通过本项目,研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施,有助于公司丰富自身产品线,有效整合产业资源,巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

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