高通第三代5G基带芯片亮相 采用5nm工艺

　　近日，高通在圣地亚哥总部召开发布会，展示了第三代5G基带芯片X60。

　　根据规格来看，X60基于5nm制程工艺打造，这也是全球首个5nm制程基带芯片。得益于5nm工艺，第三代5G芯片实现了功耗降低和性能增强，其下载速度可达7.5Gbps，上行速度3Gbps，并且支持Voice-Over-NR 5G语音技术。

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　　同时，高通X60是全球首个支持聚合全部主要频段及其组合的5G基带及射频系统，支持5G SA、NSA双组网，支持毫米波、Sub-6GHz（FDD/TDD）、5D TDD和FDD载波聚合和动态频谱共享。

　　据悉，高通会在本季度向合作伙伴提供X60基带，而相关终端产品预计会在明年年初上市。