三星宣布将全面推进EUV工艺帮助量产DDR5内存

　　随着制程节点迈入7nm，EUV极紫外光刻工艺将在未来的半导体芯片制造上成为主流。近日，三星宣布将率先为DRAM内存颗粒生产引入EUV工艺。

　　三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，2021年大规模量产的DDR5和LPDDR5内存芯片将因此受益，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。

　　根据三星此前判断，EVU工艺将帮助其将制程节点 推进到3nm，那么在未来7nm、5nm制程节点上，EUV将发挥极大作用。

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